Pat

J-GLOBAL ID：200903032092323808

光変調器および発光素子

Inventor： 井上 宏明 ,  佐野 博久 ,  桐原 俊夫 ,  石田 宏司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991134236
Publication number (International publication number)：1994148579
Application date： Jun. 05, 1991
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】光強度変調に付随する光位相変調の原因である屈折率変化を抑制し、光情報処理等の超高速変調や超長距離伝送が可能な光変調器を得る。【構成】化合物半導体を用いた電界吸収型光変調器において、電界印加時の光強度変調が、少なくとも2以上の吸収線で生じるようにし、上記吸収線は光位相変調が互いに補償するようにする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体を用いた電界吸収型光変調器において、電界印加時の光強度変調が、少なくとも2以上の吸収線により生じていることを特徴とする光変調器。

IPC (5)：

G02F 1/015 505 ,  G02F 1/015 501 ,  G02B 6/12 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/14