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J-GLOBAL ID:200903032101124619

半導体装置のダイシング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992321297
Publication number (International publication number):1994151584
Application date: Nov. 04, 1992
Publication date: May. 31, 1994
Summary:
【要約】【目的】 半導体装置の保護性、歩留り向上。【構成】ウェハー切断時のチップ固定テープを貼付ける側と反対側の切断経路上に、有機樹脂保護膜を被覆してダイシングソーが直接基板に当たらない構造であることを特徴とする半導体装置切断方法。図1は、本発明を施した一実施例を示す。基板101の下側にチップ固定テープ107があり、基板を挟み込む形で切断経路部分に樹脂膜106を形成する。105はチップの第一の保護膜であり、チップを形成している酸化絶縁膜102、層間絶縁膜103、チップの電極取出し端子104の一部を保護している。樹脂膜106は、元々第一の保護膜105の保護膜として利用されている材料であり、本発明のためには切断経路上にわずかに存在するだけで効果があるので、ブレードに当たる領域まで樹脂で覆われた構造であってもよい。
Claim (excerpt):
所定半導体素子のパターンの形成されたウェハーを各チップごとにダイシングソーで切断するダイシング方法において、前記ウェハーの切断経路上において前記ダイシングソーが直接基板に接触しない様に前記切断経路上を有機保護膜で被覆し、前記ウェハーのパターンの形成されていない裏面にチップ固定テープを貼付し、前記切断経路上において、ダイシングソーを移動させてダイシングすることを特徴とする半導体装置のダイシング方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭62-112348
  • 特開昭62-024642
  • 特開昭62-030343
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