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J-GLOBAL ID：200903032109777441

磁場測定方法および磁場測定装置

Inventor： 今村 健一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995195244
Publication number (International publication number)：1997043324
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 新規な原理に基づく磁場測定方法および磁場測定装置に関し、スピン偏極走査型トンネル顕微鏡の技術を用いる新たな磁気測定方法を提供する。【解決手段】 閃亜鉛構造の結晶構造を持つ化合物半導体のセンサ領域を有する感磁性素子を準備する工程と、前記センサ領域に円偏光を照射して、スピン偏極状態を発生させる工程と、前記センサ領域のスピン偏極を測定対象磁場中で緩和させる工程と、前記センサ領域のスピン偏極の緩和の度合いを測定する測定工程と、得られた緩和の度合いから磁場の強度を検出する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

閃亜鉛構造の結晶構造を持つ化合物半導体のセンサ領域を有する感磁性素子を準備する工程と、前記センサ領域に円偏光を照射して、スピン偏極状態を発生させる工程と、前記センサ領域のスピン偏極を測定対象磁場中で緩和させる工程と、前記センサ領域のスピン偏極の緩和の度合いを測定する測定工程と、得られた緩和の度合いから磁場の強度を検出する工程とを含む磁場測定方法。

IPC (4)：

G01R 33/032 ,  G01R 33/02 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 43/00

FI (4)：

G01R 33/032 ,  G01R 33/02 A ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 43/00