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J-GLOBAL ID：200903032113999319

プラズマCVD装置のプリコート方法

Inventor： 星野 正和 ,  宮 豪 ,  蜂谷 昌幸 ,  大山 勝美
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999302018
Publication number (International publication number)：2001123271
Application date： Oct. 25, 1999
Publication date： May. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】マイクロ波と高周波(RF)プラズマを用いるプラズマCVD装置において、成膜プロセスでの異物発生を低減して稼働率の高いプラズマCVD装置を実現する。【解決手段】NF3プラズマクリーニング終了後に、反応室1内にマイクロ波を導入すると共に上チャンバ2にRFを印加して反応室1の内壁面に所望の膜厚のSiO2膜をプリコートする。【効果】プラズマクリーニング直後の壁面吸着分子の閉じ込めや、壁面の平滑化により、成膜時の膜剥れによる異物増加と、成膜時の反応室1内壁面での異常放電による異物発生を防止できる。

Claim (excerpt)：

反応室内にマイクロ(μ)波プラズマおよびRF(radio frequency)プラズマを発生させ、基板電極に設置したウエハなどに薄膜を成膜すると共に、成膜により反応室内の壁面に堆積した堆積物を除去するプラズマクリーニング機能を備えたプラズマCVD装置のプリコート方法において、クリーニング終了後に反応室壁面の導入窓から導入したμ波で生成したμ波プラズマで反応室内壁面にプリコートすることを特徴とするプラズマCVD装置のプリコート方法。

IPC (2)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/205

F-Term (24)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030DA06 ,  4K030EA04 ,  4K030FA02 ,  4K030FA03 ,  4K030KA14 ,  4K030KA30 ,  4K030LA11 ,  5F045AA10 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045BB14 ,  5F045DP02 ,  5F045EB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F045EH17