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J-GLOBAL ID：200903032127478907

半導体装置における放熱構造

Inventor： 高倉 信之
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 松本 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992067643
Publication number (International publication number)：1993275579
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 放熱効果が高く集積度のいっそうの向上の要求に応えられるような半導体装置における放熱構造を提供する。【構成】 素子が形成された半導体基板を備えた半導体装置の前記素子で発生する熱を半導体基板外に放出するための放熱構造において、前記半導体基板1の素子形成域の裏側には溝2が形成されていて、この溝形成面が良熱電導性材料からなる薄膜3で覆われており、この薄膜を通して前記素子で発生した熱の放出を行うようになっていることを特徴とする半導体装置における放熱構造。

Claim (excerpt)：

素子が形成された半導体基板を備えた半導体装置の前記素子で発生する熱を半導体基板外に放出するための放熱構造において、前記半導体基板の素子形成域の裏側には溝が形成されていて、この溝形成面が良熱電導性材料からなる薄膜で覆われており、この薄膜を通して前記素子で発生した熱の放出を行うようになっていることを特徴とする半導体装置における放熱構造。