不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118093
Publication number (International publication number)：1996316343
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【構成】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、電荷蓄積層を有するMOSトランジスタから構成され、前記電荷蓄積層に注入する電荷量により、低い順に第1、第2、第3及び第4のしきい値範囲をとることにより4値のデータを記憶する不揮発性半導体記憶装置において、電荷蓄積層に電荷を蓄積しない状態において、しきい値が第2及び第3のしきい値範囲の間に設定されている。【効果】電荷保持寿命をのばすことができる。

Claim (excerpt)：

電荷蓄積層を有するMOSトランジスタから構成され、前記電荷蓄積層に注入する電荷量により、低い順に第1、第2、第3及び第4のしきい値範囲をとることにより4値のデータを記憶する不揮発性半導体記憶装置において、前記電荷蓄積層に電荷を蓄積しない状態において、しきい値が前記第2及び第3のしきい値範囲の間に設定されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (3)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-040198
不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-080069 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開平4-364075

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