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J-GLOBAL ID：200903032154208938

半導体装置の製造方法

Inventor： 古田 喜久 ,  名畑 憲兼 ,  高野 均 ,  中塚 康雄 ,  丸岡 伸明
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 鈴木 崇生 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001020256
Publication number (International publication number)：2002222822
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 フレーム体の端子部の加熱時における酸化を抑制して、粘着剤の付着量を少なくすることができ、これにより後の工程に有利となる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 開口部11a及び表裏両面の端子部11bを備えるフレーム体10のアウター側に、開口部11aを塞ぐように耐熱性粘着テープ20を貼り合わせる貼着工程と、フレーム体10のインナー側の端子部11bに半導体チップ15を電気的に接続する接続工程と、フレーム体10に接続された半導体チップ15を封止樹脂によりインナー側から封止する封止工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記アウター側の端子部11bの温度が150°C以上になる何れかの工程を行う際に、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

開口部及び表裏両面の端子部を備えるフレーム体のアウター側に、前記開口部を塞ぐように耐熱性粘着テープを貼り合わせる貼着工程と、前記フレーム体のインナー側の端子部に半導体チップを電気的に接続する接続工程と、前記フレーム体に接続された半導体チップを封止樹脂によりインナー側から封止する封止工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記アウター側の端子部の温度が150°C以上になる何れかの工程を行う際に、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 21/56 T ,  H01L 23/12 L

F-Term (7)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DD14 ,  5F061EA03