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J-GLOBAL ID:200903032158285848

セラミック基板用組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 室田 力雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993045773
Publication number (International publication number):1994234568
Application date: Feb. 10, 1993
Publication date: Aug. 23, 1994
Summary:
【要約】【目的】 Ag、Ag-Pd、Au、Cu等の比較的融点の低い低抵抗導体を多層基板の内部電極として、比較的低い温度(約800 〜1000°C)で同時焼成することができ、また電子回路を多層に形成する多層配線基板として要求される体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等の一般的特性を満足し、また高周波用基板の品質の安定性に必要なTCCを小さく(±0〜±50 ppm/°C)抑えることができ、さらに焼成後の多層配線基板に反り、電子回路の剥離が生じないセラミック基板用組成物の提供を目的とする。【構成】 酸化物に換算して、SiO2 が20〜50重量%、Al2 O3 が10〜20重量%、CaOが10〜20重量%、BaOが0〜10重量%、MgOが0〜10重量%、ZnOが3〜20重量%、TiO2 が5〜20重量%、B2 O3 が0〜5重量%、PbOが4〜30重量%からなるガラス成分を65〜95重量%、チタン酸塩を5〜35重量%含むセラミック基板用組成物。
Claim (excerpt):
酸化物に換算して、SiO2 が20〜50重量%、Al2 O3 が10〜20重量%、CaO が10〜20重量%、BaO が0〜10重量%、MgO が0〜10重量%、ZnO が3〜20重量%、TiO2 が5〜20重量%、B2 O3 が0〜5重量%、PbO が4〜30重量%、からなるガラス成分を65〜95重量%、チタン酸塩を5〜35重量%含むことを特徴とするセラミック基板用組成物。
IPC (3):
C04B 35/16 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/46

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