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J-GLOBAL ID：200903032161237625

炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法

Inventor： 古賀 和幸 ,  八木 克己 ,  山口 隆夫
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993278699
Publication number (International publication number)：1995131067
Application date： Nov. 08, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高キャリア濃度のp型六方晶SiC単結晶層が得られるSiCウエハの製造方法及びp型六方晶SiC単結晶層の高キャリア濃度化が可能なSiC発光ダイオード素子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 n型の6H形SiC単結晶基板1の(0001)面から<10-10>方向に1度以上10度以下傾斜した面1a上にp型の6H形SiC単結晶層3をCVD法によりエピタキシャル成長する。

Claim (excerpt)：

六方晶炭化ケイ素単結晶基板の(0001)面から<10-10>方向に1度以上10度以下傾斜した面上に、p型六方晶炭化ケイ素単結晶層を気相エピタキシャル成長法によりエピタキシャル成長することを特徴とする炭化ケイ素ウエハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205