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J-GLOBAL ID：200903032168627259

半導体装置

Inventor： 石 原 貴 光 ,  松 澤 一 也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997248410
Publication number (International publication number)：1999087728
Application date： Sep. 12, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 低電源電圧で高速動作を可能にする。【解決手段】 基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された半導体層と、この半導体層に形成された第1導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域を挟むように前記半導体層に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型のソースおよびドレイン領域と、前記チャネル領域と前記絶縁膜との間に設けられた第1導電型の不純物層と、を備え、前記チャネル領域と前記不純物層との膜厚の和が前記ソース領域または前記ドレイン領域の膜厚よりも厚くなるように構成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された半導体層と、この半導体層に形成された第1導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域を挟むように前記半導体層に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型のソースおよびドレイン領域と、前記チャネル領域と前記絶縁膜との間に設けられた第1導電型の不純物層と、を備え、前記チャネル領域と前記不純物層との膜厚の和が前記ソース領域または前記ドレイン領域の膜厚よりも厚くなるように構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/84 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 621 ,  H01L 21/84 ,  H01L 29/78 618 A