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J-GLOBAL ID：200903032216673250

CMOSイメージセンサおよびその製造方法

Inventor： 奥田 章二 ,  高見 政利
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 横山 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002062580
Publication number (International publication number)：2003264277
Application date： Mar. 07, 2002
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってCMOSイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。【解決手段】 エピウエハを素子基板として用いることを特徴とするCMOSイメージセンサ。素子基板中の素子と配線とを接続するコンタクトホールを形成後に、タングステン層を形成し、該コンタクトホール以外のタングステン層を除去後、窒素水素雰囲気のアニールもしくは水素雰囲気のアニールを行うことを特徴とするCMOSイメージセンサ。

Claim (excerpt)：

素子基板としてエピウエーハを採用したCMOSイメージセンサ。

F-Term (13)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118EA15 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42