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J-GLOBAL ID：200903032219835609

半導体装置の層間絶縁膜形成方法

Inventor： 金 昶圭 ,  洪 昌基 ,  鄭 佑仁 ,  安 容徹
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992290587
Publication number (International publication number)：1993218009
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 硫酸ボイルや大気中原子との反応を遮断して外部からの衝撃が軽減し、高濃度BPSGの破壊を防止することにより、低温でフローが良好な半導体装置の絶縁膜形成方法を提供する。【構成】 素子を形成している半導体基板上に高濃度のホウ素とリンとを含有する絶縁膜を沈積するステップと、前記沈積した絶縁膜の表面をプラズマを用いて表面処理を行なうステップと、低温でリフロー工程を行なうステップとを備える。

Claim (excerpt)：

素子を形成している半導体基板上に高濃度のホウ素とリンを含有する絶縁膜を沈積するステップと、前記沈積した絶縁膜の表面をプラズマを用いて表面処理を行なうステップと、プラズマ表面処理後に低温でリフロー工程を行なうステップとを備える、半導体装置の層間絶縁膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-086426
  
• 特開昭62-188229
  
• 特開平2-181952
  
• 特開平4-237128
  
• 特開平4-245630