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J-GLOBAL ID：200903032221238030

熱型赤外線センサ及びその製造方法並びにこれを用いたイメージセンサ

Inventor： 友藤 哲也 ,  宇田川 賢司 ,  成井 禎
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 古谷 史旺 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996133292
Publication number (International publication number)：1997318436
Application date： May. 28, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 赤外線受光部の物性値の温度依存性を高めてセンサ感度を向上させた熱型赤外線センサを提供する。【解決手段】 シリコン基板1の上方に多結晶シリコン層14が形成され、該多結晶シリコン層14の表面に白金シリサイド層15が形成されてショットキーバリアダイオードが構成され、該ショットキーバリアダイオードが温度センサ部として用いられた熱型赤外線センサ10が形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上方に多結晶シリコン層が形成され、該多結晶シリコン層の表面に金属膜又は金属シリサイド膜が形成されてショットキーバリアダイオードが構成され、該ショットキーバリアダイオードが温度センサ部として用いられていることを特徴とする熱型赤外線センサ。

IPC (2)：

G01J 1/02 ,  G01J 5/20

FI (4)：

G01J 1/02 C ,  G01J 1/02 B ,  G01J 1/02 Q ,  G01J 5/20