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J-GLOBAL ID：200903032226174464

半導体製造装置及びその方法

Inventor： 郡山 広久 ,  木崎原 稔郎 ,  加藤 泰司 ,  本堀 勲 ,  小島 宏之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993319086
Publication number (International publication number)：1995147250
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 排気管内に堆積するダストによるウエハの表面の汚染を防止する。【構成】 ウエハSの処理室30と、処理室30に排気管37を介して接続されて処理室30を真空排気するための真空ポンプ38と、排気管37の処理室30近傍に設けられたダスト捕獲手段10とを備え、又は処理室30に接続された予備室42と、予備室42と真空ポンプ38とを接続すると共に予備室42の近傍にはダスト捕獲手段10が設けられた排気管43とを備えた半導体製造装置であって、ダスト捕獲手段10を、排気管37、43に流入するダストDを所定の極性に帯電させるための帯電部と、該帯電部より前記真空排気する状態において排気の流れYの下手側に配置され、前記帯電したダストDを吸着するための一対の吸着面からなる捕獲部とで構成する。

Claim (excerpt)：

ウエハの処理室と、該処理室に排気管を介して接続されて前記処理室を真空排気するための真空ポンプと、前記排気管の前記処理室近傍に設けられたダスト捕獲手段とを備え、又は前記処理室に接続された予備室と、該予備室と前記真空ポンプとを接続すると共に前記予備室の近傍にはダスト捕獲手段が設けられた排気管とを備えた半導体製造装置であって、前記ダスト捕獲手段は、前記排気管に流入するダストを所定の極性に帯電させるための帯電部と、該帯電部より前記真空排気する状態において排気の流れの下手側に配置され、前記帯電したダストを吸着するための一対の吸着面からなる捕獲部とで構成されることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 N