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J-GLOBAL ID：200903032227425134

半導体レーザー

Inventor： 辻村 歩 ,  大川 和宏 ,  上山 智 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995288962
Publication number (International publication number)：1996213699
Application date： Nov. 07, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】II-VI 族化合物半導体を用いた青緑色領域で発振する半導体レーザーに対して、光閉じ込め率を大きくするための構造を提供する。【解決手段】Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se(0<X≦0.3)活性層7と、Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se活性層7に隣接する一対の光閉じ込め構造4、5、6、8、9及び10と、光閉じ込め構造のそれぞれに隣接するクラッド層3及び11を備えた半導体レーザーであって、光閉じ込め構造のエネルギーバンドギャップが、Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se活性層7からの距離が増加するにつれて単調増加している。これによって、光閉じ込め係数が改善される。

Claim (excerpt)：

Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se(0<X≦0.3)活性層と、該Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se活性層に隣接する一対の光閉じ込め構造と、該光閉じ込め構造のそれぞれに隣接するクラッド層を備えた半導体レーザーであって、該光閉じ込め構造のエネルギーバンドギャップは、該Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se活性層からの距離が増加するにつれて単調増加している半導体レーザー。