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J-GLOBAL ID：200903032244618604

レジストパターンの形成方法

Inventor： 田中 裕之 ,  及川 朗 ,  山東 伸明 ,  宮田 修一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992127286
Publication number (International publication number)：1993326389
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、レジストパターンの形成方法に関し、レジストパターンを微細に形成する際にレジストパターン上部に庇が生じないようにすることができ、レジストパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができ、エッチング後のパターン線幅を所望の寸法で安定に形成することができるレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 ポジ型の化学増幅レジストのレジストパターンを形成する際に、現像後の未露光部の膜厚がレジスト塗布後の膜厚に比べて500Å以上2000Å以下の範囲で薄くなるように設定するように構成する。

Claim (excerpt)：

ポジ型の化学増幅レジストのレジストパターンを形成する際に、現像後の未露光部の膜厚がレジスト塗布後の膜厚に比べて500Å以上2000Å以下の範囲で薄くなるように設定することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30