Pat

J-GLOBAL ID：200903032269519422

プラズマ処理装置

Inventor： 今福 光祐 ,  遠藤 昇佐 ,  田原 一弘 ,  内藤 幸男 ,  永関 一也 ,  広瀬 圭三
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994113587
Publication number (International publication number)：1995302786
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 パワースプリット形式を有するプラズマ処理装置において、被処理体にダメージを与えることなく、高密度のプラズマ雰囲気で被処理体に対して微細処理を施す。【構成】 処理容器2内の上下に上部電極21と、処理容器2とは独立して接地されるサセプタ5とを対向して設ける。高周波電源41からの380kHzの高周波電力は、トランス42を介し、位相を180 ゚ずらせて前記2つの電極に印加される。高周波電源51からの13.56MHzの高周波電力は、上部電極21に印加される。高周波電源51からの高周波電力でプラズマの密度の制御がなされ、高周波電源41の高周波電力によってイオンエネルギーが制御されるので、ダメージを与えることなく、選択性の高いプラズマ処理がウエハWに対して施される。

Claim (excerpt)：

第1の電極と第2の電極とを処理室内において対向して有し、高周波電源からの高周波電力がトランスを介して前記第1の電極と第2の電極とに夫々印加される如く構成されたプラズマ処理装置において、前記第1の電極を接地させると共に、前記第2の電極に対し、前記高周波電力の周波数f0よりも高い周波数f1の高周波電力を印加する如く構成し、さらに前記トランスと第1の電極と第2の電極との間の各印加経路に、前記高周波f1を遮断する遮断装置を夫々介在させたことをことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-129377
  
• 特開昭59-017237