超音波トランスデューサ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992063580
Publication number (International publication number)：1993264522
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】超音波の送受波の方向や入射角を選択可能な超音波トランスデューサを提供する。【構成】トランスデューサ1の絶縁性ボディ5には、その下端の球面状凹面3の同心円に沿って複数の棒状電極7が埋設されている。球面状凹面3には、ポリ弗化ビニリデン・トリフルオロエチレン層(P層)11、アルミニウム膜13が順次に形成されている。棒状電極7とアルミニウム膜13との間に高電圧が印加されると、その間の領域におけるP層11が分極されて圧電効果を持つ。その結果、球面状凹面3の同心円に沿って分布した複数の圧電素子が形成される。これら複数の圧電素子は、電極7が独立しているために、互いに独立して作動可能である。

Claim (excerpt)：

球面状凹面における少なくとも一つの同心円に沿って、互いに独立して作動可能な複数の超音波圧電素子が配列されてなることを特徴とする超音波トランスデューサ。

IPC (2)：

G01N 29/24 503 , H04R 17/00 332

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平4-029447
特開昭60-091756
特開昭60-091756

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