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J-GLOBAL ID：200903032277220762

強磁性トンネル接合を有する積層膜、その製造方法、磁気センサ、磁気記録装置、及び、磁気メモリ装置

Inventor： 佐藤 雅重 ,  菊地 英幸 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002241601
Publication number (International publication number)：2004079936
Application date： Aug. 22, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】強磁性トンネル接合を有する積層膜、その製造方法、磁気センサ、磁気記録装置、及び、磁気メモリ装置に関し、酸化アルミニウムより低抵抗で、且つ、高いMR比が得られる絶縁膜を形成する。【解決手段】磁性層2/非磁性層3/磁性層4からなる強磁性トンネル接合1を構成する非磁性層3を、窒素と酸素とアルミニウムを含む非磁性層によって構成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

磁性層/非磁性層/磁性層からなる強磁性トンネル接合を有する積層膜において、前記非磁性層は、窒素と酸素とアルミニウムを含むことを特徴とする強磁性トンネル接合を有する積層膜。

IPC (8)：

H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

FI (8)：

H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R

F-Term (19)：

2G017AC01 ,  2G017AD54 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034DA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA03