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J-GLOBAL ID:200903032278644299
高分子電荷移動錯体
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
小松 秀岳 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991333443
Publication number (International publication number):1993047211
Application date: Dec. 17, 1991
Publication date: Feb. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】 成形性、加工性を有し、かつ電子材料としての安定性に優れた新規な分子間電荷移動錯体を提供すること。【構成】 有機ドナー及び有機アクセプターより形成される分子間電荷移動錯体において少なくとも有機ドナー材料が導電性高分子材料であることを特徴とする高分子電荷移動錯体。
Claim (excerpt):
有機ドナー及び有機アクセプターより形成される分子間電荷移動錯体において少なくとも有機ドナー材料が主鎖骨格に窒素原子を有する導電性高分子材料であることを特徴とする高分子電荷移動錯体。
IPC (5):
H01B 1/12
, C08G 61/12 NLJ
, C08G 73/00 NTB
, C08L 65/00 LNY
, C08L 79/00 LQZ
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平3-052929
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特開昭61-047625
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特開昭61-091914
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