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J-GLOBAL ID：200903032279894736

プラズマCVD装置

Inventor： 天野 俊二 ,  林 弘志 ,  宮井 清一 ,  外崎 峰広 ,  本庄 禎治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995262296
Publication number (International publication number)：1997078242
Application date： Sep. 14, 1995
Publication date： Mar. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 被処理基体を回転させる機構部を設けなくても、被処理基体の処理部位に対して均等な成膜を短時間で行うことができるプラズマCVD装置を提供すること。【解決手段】 被処理基体4の外周面の処理部位4aに対して成膜をするためのプラズマCVD装置において、真空槽1と、反応ガスが供給されて被処理基体4の処理部位4aを囲むようにして真空槽1内に配置された反応管2と、この反応管2内において被処理基体4の処理部位4aから等距離はなれた位置に配置されて処理部位4aの大きさに対応した大きさを有する電極3と、この電極3と被処理基体4との間にプラズマを発生させるための電源6と、を備える。

Claim (excerpt)：

被処理基体の外周面の処理部位に対して成膜をするためのプラズマCVD装置において、真空槽と、反応ガスが供給され、被処理基体の処理部位を囲むようにして真空槽内に配置された反応管と、この反応管内において被処理基体の処理部位から等距離はなれた位置に配置されて処理部位の大きさに対応した大きさを有する電極と、この電極と被処理基体との間にプラズマを発生させるための電源と、を備えることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/00

FI (3)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/00