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J-GLOBAL ID：200903032281634164

圧電体薄膜およびその製造法ならびにそれを用いたインクジェット記録ヘッド

Inventor： 久野 忠昭 ,  宮下 悟 ,  青山 拓
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996288770
Publication number (International publication number)：1998139594
Application date： Oct. 30, 1996
Publication date： May. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 厚膜化しても圧電ひずみ定数値の低下しない圧電体薄膜、およびその製造法を提供する。【解決手段】 本発明による圧電体薄膜は、三成分系圧電体材料から形成される母層と、母層に比べて結晶化温度の低い二成分系圧電体材料から形成される部分層とから形成されていることから、厚膜時の圧電体薄膜全体の結晶性改善が得られ、圧電ひずみ定数値低下を抑制できる。さらに、このような圧電体薄膜は、ゾルゲル法であって、多数回コートした圧電体材料を一括してアニールし結晶化させることで製造できる。

Claim (excerpt)：

母層がマグネシウム酸ニオブ酸鉛(以下、「PMN」と記す)、ジルコン酸鉛(以下、「PZ」と記す)およびチタン酸鉛(以下、「PT」と記す)から形成される三成分系圧電体材料からなり、母層の下地層、中間層、表面層といった部分層にPZおよびPTから形成されるチタン酸ジルコン酸鉛(以下、「PZT」と記す)から形成された二成分系材料を有する構造の圧電体薄膜。

IPC (7)：

C30B 29/22 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22

FI (6)：

C30B 29/22 Z ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 F ,  H01L 41/22 Z