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J-GLOBAL ID：200903032282568289

電子部品および半田バンプの形成方法

Inventor：
土師 宏

About 土師 宏


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998013725
Publication number (International publication number)：1999214419
Application date： Jan. 27, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 電極上に接合強度に優れた半田バンプが形成された電子部品、および接合強度に優れた半田バンプを形成することができる半田バンプの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1にバンプ付電子部品6の金バンプ7と導通させるための電極2と半田バンプ5を形成するための電極3を形成し、電極2、3上にニッケル膜および金膜を順次形成を形成する。半田バンプ5の形成に先立って電極3上に形成される金膜の厚さを、半田バンプ5に溶け込む金の重量%が0.1%以下となる値で定められる上限値と、0.01μmの下限値の間の範囲内に設定する。これにより、半田に溶け込む金の量を制限し、従って脆い性質を有する金とスズの化合物の半田バンプ5内での生成を抑制して接合強度に優れた半田バンプ5を形成することができる。
Claim (excerpt)：
電極上に金膜を形成しこの金膜上で半田を溶融・固化させることにより前記電極上に形成された半田バンプを備え、前記金膜の厚さが、半田バンプに溶け込む金の重量%が0.10%以下となる値で定められる上限値と、0.01μmの下限値の間の範囲内に設定されていることを特徴とする電子部品。
IPC (3)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (5)：
H01L 21/92 604 H ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 603 E ,  H01L 21/92 604 M ,  H01L 23/12 L
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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