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J-GLOBAL ID：200903032285427201

カルシウムシリサイド薄膜の成長方法

Inventor： 松井 宏樹 ,  倉本 護 ,  小野 努 ,  野瀬 康男 ,  百瀬 与志美 ,  立岡 浩一 ,  桑原 弘
Applicant, Patent owner： 静岡大学長
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001086119
Publication number (International publication number)：2002289627
Application date： Mar. 23, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板にマグネシウムシリサイド薄膜を介してCa:Siのモル比が2:1のカルシウムシリサイド(Ca2Si)単相の薄膜を成長する方法を提供する。【解決手段】 マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝して前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子とカルシウム原子とを置換反応させることにより前記マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝して前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子と前記蒸気化されたカルシウム原子とを置換反応させることにより前記マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることを特徴とするカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/36 ,  C01B 33/06 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/363 ,  H01L 31/04

FI (5)：

H01L 21/36 ,  C01B 33/06 ,  C23C 14/06 E ,  H01L 21/363 ,  H01L 31/04 E

F-Term (26)：

4G072AA35 ,  4G072BB09 ,  4G072FF09 ,  4G072GG02 ,  4G072JJ50 ,  4G072NN18 ,  4G072UU01 ,  4K029AA06 ,  4K029BA52 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  5F051AA07 ,  5F051CB11 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051GA04 ,  5F052KA05 ,  5F103AA01 ,  5F103BB06 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103RR06