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J-GLOBAL ID：200903032296628179

半溶融過共晶Al-Si合金の製造方法

Inventor：
佐藤 智

About 佐藤 智

, 
安達 充

About 安達 充


Applicant, Patent owner：
宇部興産株式会社

About 宇部興産株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995244111
Publication number (International publication number)：1997087768
Application date： Sep. 22, 1995
Publication date： Mar. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】 従来の機械攪拌法や電磁攪拌法によらず、簡便容易に、かつ、低コストで微細かつ球状のチクソ組織を有する成形体が得られる半溶融過共晶Al-Si合金の製造方法を提案するものである。【解決手段】 結晶核を有する液相線温度以上の液体状態の過共晶Al-Si合金、または、結晶核を有する成形温度以上の固液共存状態の過共晶Al-Si合金を、断熱効果を有する断熱容器の中において、所定の液相率を示す成形温度まで冷却しつつ5秒間〜60分間保持することにより、液中に微細な初晶を該合金液中に晶出させるものである。
Claim (excerpt)：
結晶核を有する液相線温度以上の液体状態の過共晶Al-Si合金、または、結晶核を有する成形温度以上の固液共存状態の過共晶Al-Si合金を、断熱効果を有する断熱容器の中において、所定の液相率を示す成形温度まで冷却しつつ5秒間〜60分間保持することにより、液中に微細な初晶を該合金液中に晶出させることを特徴とする加圧成形用半溶融過共晶Al-Si合金の製造方法。
IPC (5)：
C22C 1/02 501 ,  C22C 1/02 503 ,  B22D 1/00 ,  C22C 21/02 ,  B22D 17/00
FI (5)：
C22C 1/02 501 B ,  C22C 1/02 503 J ,  B22D 1/00 Z ,  C22C 21/02 ,  B22D 17/00 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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