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J-GLOBAL ID：200903032303022966

半導体基板の表面酸化膜における金属不純物の分析方法

Inventor： 加藤 樹理
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991309206
Publication number (International publication number)：1993041433
Application date： Nov. 25, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低コストで小型かつ真空を必要としない簡易な手法を用い、しかも、1010atoms/cm2 のオーダーの検出感度を可能にする、半導体基板の表面酸化膜における金属不純物の分析方法を提供する。【構成】 半導体基板上に形成された表面酸化膜中に存在する金属不純物に起因する固定電荷量を測定し、前記金属不純物量と前記固定電荷量との相関関係を求め、この相関関係に基づいて被分析対象たる表面酸化膜の固定電荷量より該酸化膜中の金属不純物の定量を行う。また、シリコン基板上に形成された熱酸化膜の深さ方向の距離と、前記熱酸化膜中の金属不純物に起因する固定電荷量との相対関係を求め、かつこれとは別に熱酸化膜中における金属不純物量と、これに起因する固定電荷量との相関関係を求め、これらの相関関係に基づいて前記熱酸化膜における前記金属不純物の濃度分布を求めることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された表面酸化膜中に存在する金属不純物に起因する固定電荷量を測定し、前記金属不純物量と前記固定電荷量との相関関係を求め、この相関関係に基づいて被分析対象たる表面酸化膜の固定電荷量より該酸化膜中の金属不純物の定量を行うことを特徴とする半導体基板の表面酸化膜における金属不純物の分析方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26