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J-GLOBAL ID：200903032316905816

面発光レーザダイオード

Inventor： 納富 雅也 ,  リヒャルト ネッツェル ,  鎌田 英彦
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993164336
Publication number (International publication number)：1995022698
Application date： Jul. 02, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 面発光レーザダイオードにおいて、偏波特性を持たせることを目的とする。【構成】 GaAs(311)面基板上(1)に成長したGaAs/AlAs量子井戸層(3,4)を活性層として持ち、該量子井戸層(3,4)が面内方向に光偏波面選択性を持つことを特徴とする

Claim (excerpt)：

GaAs(311)面基板上に成長したGaAs/AlAs量子井戸層を活性層として持ち、該量子井戸層が面内方向に光偏波面選択性を持つことを特徴とする面発光レーザダイオード。