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J-GLOBAL ID：200903032336775633

荷電粒子ビーム露光方法

Inventor： 金田 博幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991326202
Publication number (International publication number)：1993160010
Application date： Dec. 10, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 近接効果を補正した荷電粒子ビーム露光方法に関し、計算処理時間の増大を引き起こさず、露光時間の過度な増大も避けることができ、滑らかな近接効果補正を可能とする荷電粒子ビーム露光方法を提供する。【構成】 荷電粒子ビームを用いて対象物上に所望のパターンを露光する方法であって、所定サイズの区画に分割された露光領域の各区画毎に、区画内のパターンの存在する領域の面積(X)を求め、露光領域の全区画内で最大のパターン存在領域の面積(Xmax )を求め、前記最大面積(Xmax )に基づき各区画に対して行なう主露光の強度を決定、前記主露光強度を有するぼかさないビームでパターンを描画し、前記各区画のパターン存在領域の面積(X)から区画内のパターンが存在しない空き領域の面積(S-X)を求め、前記空き領域の面積に基づき、各区画に対して行なう補助露光の強度を決定し、前記補助露光強度を有するぼかしたビームで補助露光を行なう。

Claim (excerpt)：

荷電粒子ビームを用いて対象物上に所望のパターンを露光する方法であって、所定サイズの区画に分割された露光領域の各区画(51)毎に、区画内のパターンの存在する領域の面積(X)を求める工程と、露光領域の全区画内で最大のパターン存在領域の面積(Xmax )を求める工程と、前記最大面積(Xmax )に基づき各区画に対して行なう主露光の強度を決定する主露光強度決定工程と、前記主露光強度を有するぼかさないビームでパターンを描画する主露光工程と、前記各区画のパターン存在領域の面積(X)から区画内のパターンが存在しない空き領域の面積(S-X)を求める工程と、前記空き領域の面積に基づき、各区画に対して行なう補助露光の強度を決定する補助露光強度決定工程と、前記補助露光強度を有するぼかしたビームで補助露光を行なう補助露光工程とを含む荷電粒子ビーム露光方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (3)：

H01L 21/30 341 M ,  H01L 21/30 341 C ,  H01L 21/30 341 J