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J-GLOBAL ID：200903032344429426
気相成長装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991226145
Publication number (International publication number)：1993067571
Application date： Sep. 05, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 二重反応管の内管の外面と外管の内面にウオ-ルデポが析出することを防止できるホットウオ-ル縦型の気相成長装置を提供する。【構成】 気相成長装置は、内部に半導体基板を複数配置したボ-ト13と、ボ-ト13を囲む内管12と、内管12の外側に配置された外管11と、外管11の外側に配置されたヒ-タ10とを備える。内管11内に半導体基板に対して反応ガスを噴出する反応ガス用噴出ノズル8を取り付けるとともに、この反応ガス用噴出ノズル8に対向する内管12の側面に反応ガスを排出する排出口18を設けた。内管12と外管11との間に、内管12の外面または外管11の内面に反応物の析出を抑制するためハロゲン化水素ガスを噴出するハロゲン化水素ガス用噴出ノズル22を設けた。
Claim (excerpt)：
内部に半導体基板を複数配置したボ-トと、ボ-トを囲む内管と、内管の外側に配置された外管と、外管の外側に配置されたヒ-タとを備え、前記内管内に半導体基板に対して反応ガスを噴出する反応ガス用噴出ノズルを取り付けるとともに、前記内管に反応ガスを排出する排出口を設け、前記内管と前記外管との間にハロゲン化水素ガスを噴出するハロゲン化水素ガス用噴出ノズルを設け、これにより前記内管の外面または前記外管の内面への反応物の析出を抑制するよう構成したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C30B 25/10
, C30B 25/14
