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J-GLOBAL ID：200903032345093553
真空型トンネルカソード
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007504
Publication number (International publication number)：1993198251
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 トンネルカソードにおける絶縁層内での電子の散乱をなくして、放出電子電流の割合を大きくし、放出電子のエネルギー分布を小さくする。【構成】 トンネルカソードの第1導電層2と第2導電層5との間の絶縁層の少なくとも電子が透過する部分を真空空間で成る真空絶縁層4で形成する。
Claim (excerpt)：
第1導電層-絶縁層-第2導電層を順に積層して構成され、トンネル効果によリ上記絶縁層を透過し上記第2導電層から電子が放出されるトンネルカソードにおいて、上記絶縁層の少なくとも上記電子が透過する部分を真空空間で成る真空絶縁層で形成したことを特徴とする真空型トンネルカソード。
Patent cited by the Patent：
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