Pat

J-GLOBAL ID：200903032355935870

半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： 石田 秀俊 ,  田中 毅 ,  上田 大助
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993023932
Publication number (International publication number)：1994236852
Application date： Feb. 12, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】キャリアライフタイムの長い、高濃度のp型GaAsの結晶成長を行い、電流増幅率の高いヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を作製する。【構成】ガリウム源7、砒素源8とカーボンの不純物源である不飽和炭化水素1を基板11上に供給し、ヒータ4により基板温度を550°C以上の高温に保ちキャリアライフタイムの長い高濃度p型GaAsの結晶長を行なう。このp型GaAsをHBTのベース層に用い、高い電流増幅率を有するHBTを作製する。

Claim (excerpt)：

不飽和結合を有する炭化水素を不純物源として化合物半導体のエピタキシャル成長を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-262332
  
• 特開平2-272722
  
• 特開平4-338633