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J-GLOBAL ID：200903032361269785

絶縁膜の形成方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996233983
Publication number (International publication number)：1998079384
Application date： Sep. 04, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ホットキャリア耐性に優れ、比誘電率εの低いSiOF膜を成膜する。【解決手段】 テトライソシアン酸珪素(TICS)と酸素族元素のフッ化物を含むガスを用いてプラズマCVDを行い、SiOF膜23を成膜する。つまり、成膜ガスからH原子を排し、かつSi供給源とF供給源とを分けることにより、膜中へのF原子の取込みに追随したSi原子の取込みを防止する。この結果、十分量のF原子を取り込むことで低誘電率化される一方で、Si-OH結合の生成量が少ないために耐湿性やホットキャリア耐性にも優れるSiOF膜23が得られる。酸素族元素のフッ化物としてはOF2 ,SeF4 ,TeF4 を用いるが、これらは昇華性化合物なので、成膜に関与しなかった未反応分は速やかに系外へ除去される。

Claim (excerpt)：

Si原子とF原子とが互いに異なる化合物から各々供給されるようになされ、かつH原子が実質的に排除された組成を有するガスを用い、基板上にSiOF膜を気相成長させることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K