Pat

J-GLOBAL ID：200903032373186010

超伝導体を用いた光子及び放射線及び中性子の検出法及びその2次元イメージング法

Inventor： 片桐 政樹 ,  大久保 雅隆
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001195150
Publication number (International publication number)：2003014861
Application date： Jun. 27, 2001
Publication date： Jan. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 液体He温度で動作可能な超伝導体を用いた高い位置分解能を示す中性子イメージ検出器を提供する。【解決手段】 10Bを構成材料として含むエネルギーギャップの大きな10Bを濃縮したMgB2を中性子検出プレートとし、この検出プレートに、中性子が入射した際発生するα線により発生するフォノンを検出するために、絶縁層、エネルギーギャップの小さな11Bを濃縮したMg11B2の順に積層した構造のフォノンセンサを中心と4つの角の部分に設置し、信号強度と信号伝搬時間を用いて中性子の入射位置を検出する。

Claim (excerpt)：

同位体効果により2つの超伝導体のエネルギーギャップが異なることを利用し、エネルギーギャップの大きな同位元素超伝導体、エネルギーギャップの小さな同位元素超伝導体、絶縁層、エネルギーギャップの小さな同位元素超伝導体、エネルギーギャップの大きな同位元素超伝導体の順に積層した構造とすることを特長とした超伝導トンネル接合素子を用いた光子及び放射線検出器。

IPC (5)：

G01T 3/00 ,  G01T 1/24 ,  G01T 1/26 ,  G01T 1/29 ,  H01L 39/22 ZAA

FI (5)：

G01T 3/00 C ,  G01T 1/24 ,  G01T 1/26 ,  G01T 1/29 C ,  H01L 39/22 ZAA D

F-Term (11)：

2G088EE29 ,  2G088FF09 ,  2G088GG22 ,  2G088JJ01 ,  2G088KK35 ,  4M113AA04 ,  4M113AA14 ,  4M113AA23 ,  4M113AA25 ,  4M113AC24 ,  4M113CA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-061971
  
• 半導体放射線検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-292967   Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社
• 超伝導放射線検出装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-067386   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-020894
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 第109回基礎化学セミナー -量子計測法の研究- 論文集