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J-GLOBAL ID：200903032373234251

光起電力装置

Inventor： 松山 深照 ,  斉藤 恵志 ,  狩谷 俊光 ,  松田 高一 ,  幸田 勇蔵 ,  岡田 直人
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347458
Publication number (International publication number)：1994204541
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、光起電力装置の光電変換効率を向上させるようにした光起電力装置を提供することを目的とする。【構成】 光入射側に表面保護層101が積層されており、該表面保護層101中には、屈折率が該表面保護層とは異なった凹凸構造を有する光散乱層102が少なくとも1層形成されている。【効果】 光散乱層102により、光起電力装置に入射する光を散乱させると、半導体層104内の光路長が実質的に延長され、光起電力装置の短絡電流が向上し、光電変換効率が向上する。また、半導体層による光の吸収が増大するので、半導体層を薄くすることができ、光起電力装置の光劣化を抑制でき、製造コストを低減できる。

Claim (excerpt)：

半導体層の光入射側に表面保護層が積層されて成る光起電力装置において、該表面保護層中には、屈折率が該表面保護層とは異なり、かつ、凹凸構造を有する少なくとも1層の光散乱層を形成したことを特徴とする光起電力装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-247574
  
• 特開昭62-209872