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J-GLOBAL ID：200903032373626150

半導体膜の形成方法及び該半導体膜を有する半導体装置

Inventor： 徳永 博之 ,  阿閉 忠司
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994084580
Publication number (International publication number)：1995026382
Application date： Apr. 22, 1994
Publication date： Jan. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光電導度の光応答性が極めて良好であると共にワイドバンドギャップで良好な電気特性を持った非単結晶シリコンカーバイト膜等の半導体薄膜の形成方法及び該半導体薄膜を有する半導体装置を提供する。【構成】 シリコンを含む原料ガスとカーボン原料として炭化水素を導入し光照射や高周波で分解反応させて非単結晶シリコンカーバイトを形成する際、カーボン原料として特定の一般式からなる3級または4級の炭素を含む炭化水素を添加して半導体膜を形成する方法及び該半導体膜を有する半導体装置。

Claim (excerpt)：

シリコンを含む原料ガスとカーボン原料としての炭化水素を分解反応させてシリコン原子と炭素原子を含有する半導体膜を形成する方法において前記カーボン原料は以下に示す一般式(I)または(II)で表される第3級または第4級炭素原子を含む炭化水素(R1 〜R4 はアルキル基、アリル基、または芳香族から選択される炭化水素)からなる群から少くとも一つ選択された炭化水素を有することを特徴とする半導体膜形成方法。【化1】【化2】(ここで、R1 〜R4 はアルキル基、アリル基または芳香族から選択される炭化水素)

IPC (2)：

C23C 16/32 ,  C01B 31/36