Pat
J-GLOBAL ID：200903032377422923

磁気検出素子及びその製造方法、ならびに前記磁気検出素子を用いた薄膜磁気ヘッド

Inventor：
長谷川 直也

About 長谷川 直也


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001089408
Publication number (International publication number)：2002289946
Application date： Mar. 27, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：
【要約】【課題】 従来では、狭いトラック幅の再生素子において十分な再生感度を有しつつ、ヒステリシスが無く再生波形の安定性に優れた磁気検出素子を製造することが困難であった。【解決手段】 フリー磁性層29の両側に軟磁性層33を介してハードバイアス層36を設ける。これによって、前記フリー磁性層29への前記バイアス層の保磁力の転写の問題やバックリング現象の問題は発生せず、また前記軟磁性層33の磁化は前記ハードバイアス層36からの縦バイアス磁界によってトラック幅方向に向けられているため、前記軟磁性層33との強磁性結合により、前記フリー磁性層29の磁化は、適切にトラック幅方向に揃えられる。よって本発明では、従来のようにヒステリシスが生じず、また再生波形の安定性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
Claim (excerpt)：
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性中間層を介して形成されたフリー磁性層とを有する多層膜が設けられ、前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側には軟磁性層を介してバイアス層が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (6)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12
FI (6)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
F-Term (13)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA12 ,  5D034CA00 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049BA12 ,  5E049GC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM