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J-GLOBAL ID:200903032386360876
プラズマリアクタ装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐野 静夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999164688
Publication number (International publication number):2000353690
Application date: Jun. 11, 1999
Publication date: Dec. 19, 2000
Summary:
【要約】【課題】 加工精度及び加工レートを劣化させることなく処理能力を向上することのできるコストパフォーマンスに優れたプラズマリアクタ装置を提供する。【解決手段】 基板Wを設置するためにチャンバー1内に配される基板電極5と、高周波電圧を発生する高周波電源4と、高周波電源4による高周波電圧の誘導結合により反応性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部1aとを備え、生成されたプラズマにより基板Wに表面加工を施すプラズマリアクタ装置において、プラズマ生成部1aに面するように基板電極5を複数設けた。
Claim (excerpt):
基板を設置するためにチャンバー内に配される基板電極と、高周波電圧を発生する高周波電源と、前記高周波電源による高周波電圧の誘導結合により反応性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部とを備え、生成されたプラズマにより該基板に表面加工を施すプラズマリアクタ装置において、前記基板電極を前記プラズマ生成部に面して複数設けたことを特徴とするプラズマリアクタ装置。
IPC (3):
H01L 21/3065
, C23C 16/505
, H05H 1/46
FI (3):
H01L 21/302 B
, C23C 16/505
, H05H 1/46 M
F-Term (10):
4K030DA08
, 4K030FA04
, 4K030KA15
, 4K030KA30
, 4K030LA15
, 4K030LA18
, 5F004BA20
, 5F004BB16
, 5F004BD04
, 5F004BD05
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