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J-GLOBAL ID：200903032387002132
構造体の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
大野 精市
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002250982
Publication number (International publication number)：2004093634
Application date： Aug. 29, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：
【課題】誘電体多層膜を反応性イオンエッチングにより加工し、アスペクト比が高く、垂直性の優れた溝を高い加工効率で形成し、2次元もしくは3次元周期構造体を提供する。【解決手段】本発明の溝の加工工程は、1.基体表面にホトレジストを塗布する工程、2.ホトレジストを所望の溝配置に対応するパターンによって露光、現像する工程、3.現像後のホトレジストが付着した基体表面に真空蒸着もしくは方向性スパッタリングにより金属薄膜を成膜する工程、4.残留したホトレジストを除去することによりその上に堆積した金属薄膜を除去する工程、5.残留した金属薄膜をマスクとして基体をRIEによりエッチングする工程、とからなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
反応性イオンエッチングにより平板状基体表面に溝を加工し、該溝の側壁が前記基体表面に対して略垂直であり、かつ溝深さ/溝幅の比が1より大きい構造体の形成方法において、
前記溝の加工工程は、前記基体表面にホトレジストを塗布する工程と、該ホトレジストを所望の溝配置に対応するパターンによって露光、現像する工程と、現像後のホトレジストが付着した基体表面に真空蒸着もしくは方向性スパッタリングにより金属膜を成膜する工程と、残留した前記ホトレジストを除去することによりその上に堆積した前記金属膜を除去する工程と、残留した前記金属膜をマスクとして前記基体を反応性イオンエッチングによりエッチングする工程と、からなることを特徴とする構造体の形成方法。
IPC (2)：
FI (3)：
G02B5/30
, G02B5/18
, H01L21/302 104C
2H049AA33
, 2H049AA37
, 2H049AA44
, 2H049AA48
, 2H049AA59
, 2H049BA05
, 2H049BA45
, 2H049BB42
, 2H049BC01
, 2H049BC08
, 2H049BC25
, 5F004AA04
, 5F004BA20
, 5F004DA03
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004EA05
, 5F004EB08
