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J-GLOBAL ID：200903032390853208

多層ガラスセラミツク基板とその製造方法

Inventor： 嶋田 勇三 ,  生稲 一洋
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991242309
Publication number (International publication number)：1993055407
Application date： Aug. 29, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高密度微細配線で、しかも高速化が期待できる機械的強度の優れた多層ガラスセラミック基板とその製造方法を提供する。【構成】 内層に導体を含む多層ガラスセラミック基板のガラスセラミック層を、アルミナ12〜59.6重量%、ホウケイ酸系ガラス18〜69.6重量%、アノーサイト結晶1〜50重量%で総量100%になるように構成し、その製造原料としては、アルミナ30〜60重量%、ホウケイ酸カルシウム40〜70重量%で総量100%になる混合粉末を用いるか、またはアルミナ0.5〜3μm、ホウケイ酸系ガラス1〜5μm粒子、アノーサイト1〜10μm平均粒子を用いる。

Claim (excerpt)：

ガラスセラミック層がアルミナ、ホウケイ酸系ガラスおよびアノーサイト結晶からなる無機組成物であって、アルミナ12〜59.6重量%、ホウケイ酸系ガラス18〜69.6重量%、アノーサイト結晶1〜50重量%の組成範囲で総量100%になるように構成され、複数の導体層を前記ガラスセラミック層を介して積層したことを特徴とする多層ガラスセラミック基板。

IPC (5)：

H01L 23/15 ,  C04B 35/10 ,  C04B 35/16 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/46

FI (2)：

H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 D