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J-GLOBAL ID：200903032403775112

半導体光素子及び歪超格子を用いたTE/TM位相整合光導波路素子

Inventor： 中西 宏一郎 ,  織田 仁
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992353567
Publication number (International publication number)：1994180405
Application date： Dec. 14, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】集積化に適した導波型半導体光素子及び歪超格子を用いてTE波/TM波間の完全なモード変換を実現する光導波路素子である。【構成】基板2面に対して傾いた光導波路6aを持つ半導体光素子部10と、基板2面に対して水平な光導波路6cを持つ光素子部12と、基板2面に対しての傾きが45°から0°まで連続的に変化する光導波路6bを持ち、2つの光導波路6a、6cを滑らかに繋いでいる接続部とから構成される。また、半導体歪超格子構造を用いた光導波路において、井戸層の格子定数を障壁層のそれより小さくし、面内引っ張り応力を与え軽い正孔の基底準位を重い正孔のそれより安定化し、軽い正孔と伝導帯電子の基底準位との間の光学遷移確率を大きくする。

Claim (excerpt)：

基板面に対して45°傾いた光導波路を持つ半導体光素子部と、基板面に対して水平な光導波路を持つ光素子部と、基板面に対しての傾きが45°から0°まで連続的に変化している光導波路を持ち、互いに45°傾いた前記2つの光導波路を滑らかにつないでいる接続部とから構成され、出射光が基板面に対して完全に垂直または水平な偏波面を持つことを特徴とする半導体光素子。

IPC (6)：

G02B 6/14 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/18 ,  H04B 10/02 ,  G02B 27/28