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J-GLOBAL ID：200903032444484254

セラミック基板

Inventor： 砂原 博文
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 下市 努
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993005196
Publication number (International publication number)：1994211564
Application date： Jan. 14, 1993
Publication date： Aug. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高誘電率,高いQ値,及び安定した温度特性を得ながら、低温焼成を可能にして融点の低い電極との同時焼成を実現できるセラミック基板を提供する。【構成】 x・ BaO-y・ TiO2 -z・ NdO3/2(但し、x+y+z=100%)を主成分とし、上記x,y,zをそれぞれ2.5 ≦x≦15,52.5≦y≦70,15≦z≦45モル%範囲とする。これにBi2 O3 を17wt%以下及びPbOを10wt%以下添加してなる誘電体磁器組成物を作成する。また、SiO2 を5〜60wt%、BaOを40〜80wt%、Al2 O3 ,ZrO2 ,TiO2 のうち少なくとも1種を10wt%以下、B2 O3 を5〜20wt%含み、かつNa2 O,K2 O,Li2 Oのうち少なくとも1種を0.01〜7wt%含み、さらにSrO,CaO,MgO,ZnO,PbOを15wt%以下含むガラスを作成する。このガラス5 〜70wt%と上記誘電体磁器組成物30〜95wt%とを混合した組成物を焼成してセラミック基板とする。

Claim (excerpt)：

x・ BaO-y・ TiO2 -z・ NdO3/2(但し、x+y+z=100%)と表したとき、上記x,y,zがそれぞれ2.5 ≦x≦15,52.5≦y≦70,15≦z≦45のモル%の範囲にあるものを主成分とし、これにBi2 O3が17wt%以下及びPbOが10wt%以下添加された誘電体磁器組成物30〜95wt%と、SiO2 を5〜60wt%、BaOを40〜80wt%、Al2 O3 ,ZrO2 ,TiO2 のうち少なくとも1種を10wt%以下、B2 O3 を5〜20wt%含み、かつNa2O,K2 O,Li2 Oのうち少なくとも1種を0.01〜7wt%含み、さらにSrO,CaO,MgO,ZnO,PbOを15wt%以下含むガラス5 〜70wt%とからなる組成物を焼成したことを特徴とするセラミック基板。

IPC (4)：

C04B 35/00 ,  C04B 35/16 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/46