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J-GLOBAL ID：200903032446165610
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052765
Publication number (International publication number)：1994267913
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】ウエーハプロセス終了後、熱抵抗を減らすために裏面を研削すると、加工歪層が基板外周に到達するため、外力により欠けやすくなる問題を解決する。【構成】面取寸法を両面共、あるいは裏面側のみ大きくし、研削面が面取部と交差するようにして、加工歪層が外周まで到達しないようにする。あるいは研削後、外周部の加工歪層をエッチングあるいは研磨により除去する。
Claim (excerpt)：
外周部に面取部を形成した半導体基板の一面側にウエーハプロセスを施したのちに、他面側を研削して所定の厚さの半導体基板を得る工程を有する半導体装置の製造方法において、研削面の端部が面取面と交差するように面取部を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 301
, H01L 21/304 331
