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J-GLOBAL ID：200903032450801920

圧電体パターンの形成方法、圧電体パターン、圧電体素子、液滴吐出ヘッド、センサ、及びデバイス

Inventor：
高桑 敦司

About 高桑 敦司


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003303171
Publication number (International publication number)：2005072473
Application date： Aug. 27, 2003
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：
【課題】 任意の平面形状を有する圧電体薄膜を低コストで、かつ短いタクトタイムで形成することが可能となる圧電体パターンの形成方法、並びに圧電体パターンを提供する。【解決手段】 圧電体層を形成するための圧電体材料に対して相対的に高い親和性を有する高親和性領域A1(第1の領域)と、前記高親和性領域に比して前記圧電体材料に対する親和性が低い低親和性領域A2(第2の領域)とを基板1上に形成する工程(a)と、前記基板1上に圧電体材料を供給し、前記高親和性領域A1に前記圧電体材料を配置して圧電体層10を形成する工程(b)と、を含む形成方法とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基体上に所定平面形状の圧電体層を形成する圧電体パターンの形成方法であって、 圧電体層を形成するための圧電体材料に対して高い親和性を有する第1の領域と、前記第1の領域に比して前記圧電体材料に対する親和性が低い第2の領域とを前記基体上に形成する工程と、 前記基体上に圧電体材料を供給し、前記第1の領域に前記圧電体材料を配置する工程と、 を含むことを特徴とする圧電体パターンの形成方法。
IPC (8)：
H01L41/22 ,  B41J2/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H02N2/00 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17
FI (12)：
H01L41/22 Z ,  H02N2/00 B ,  H03H3/02 C ,  H03H9/17 F ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 D ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 Z ,  B41J3/04 103H
F-Term (14)：
2C057AF93 ,  2C057AP14 ,  2C057AP53 ,  5J108AA06 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108FF05 ,  5J108GG03 ,  5J108KK01 ,  5J108MM11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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