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J-GLOBAL ID：200903032458846272

半導体製造装置

Inventor： 蓮見 和久 ,  島田 満男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993088279
Publication number (International publication number)：1994302553
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 チャンバにおける半導体ウェハ上への異物付着を低減できるようにする。【構成】 チャンバ8内に配置された半導体ウェハ2に対し、反応ガス5を供給してエッチングまたは成膜を行う半導体製造装置であって、半導体ウェハ2の表面近傍から半導体ウェハ2に向けてノズル11により反応ガス5を局所的に供給すると共に、内チャンバ9の複数箇所からチャンバ8内に不活性ガスを供給し、更に、内チャンバ9の複数箇所から反応ガス5及び前記不活性ガスを排出し、異物の半導体ウェハ2への落下を防止する。

Claim (excerpt)：

チャンバ内に配置された半導体ウェハに対し、反応ガスを供給してエッチングまたは成膜を行う半導体製造装置であって、前記反応ガスを前記半導体ウェハの表面近傍から前記半導体ウェハの処理面へ局所的に供給する反応ガス供給手段と、前記チャンバの内壁部の少なくとも1箇所から前記チャンバ内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記チャンバの内壁部の複数箇所から使用済みの反応ガス及び不活性ガスをチャンバ外へ排出するガス排出手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31