半導体装置の製造方法及び製造装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997211979
Publication number (International publication number)：1998214896
Application date： Aug. 06, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】選択破れを抑制して金属の安定した選択成長が可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板11の主面側に形成された孔部15を有する絶縁膜14と、孔部15の少なくとも底部に形成された第1の金属膜13とを有し、孔部15内に第1の金属膜13と電気的に接続される第2の金属膜17を選択的に形成する半導体装置の製造方法において、孔部15内に第2の金属膜17を選択的に形成する際に、基板を炭素、水素、酸素、塩素、フッ素のうち少なくとも一つ以上の元素を含む液体状のシリコン化合物を気化させた気体状のシリコン化合物又はその分解生成物を含む雰囲気に晒し、絶縁膜14の表面をシリコン化合物又はその分解生成物により化学的に修飾する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面側に形成され厚さ方向にその一部が除去された除去部を有する絶縁膜と、前記除去部の少なくとも底部に形成された第1の金属膜とを有し、前記除去部内に前記第1の金属膜と電気的に接続される第2の金属膜を選択的に形成する半導体装置の製造方法において、前記除去部内に前記第2の金属膜を選択的に形成する工程の際に、前記絶縁膜及び前記第1の金属膜が形成された前記半導体基板を、炭素、水素、酸素、塩素、フッ素のうち少なくとも一つ以上の元素を含む液体状のシリコン化合物を気化させた気体状のシリコン化合物又はその分解生成物を含む雰囲気に晒し、前記絶縁膜の表面を前記シリコン化合物又は前記分解生成物により化学的に修飾することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-149423
金属膜の選択形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-056004 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開平2-132825

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