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J-GLOBAL ID：200903032465172236

アクティブマトリクス表示装置用薄膜トランジスタ基板

Inventor： 河村 敏雄 ,  川村 哲也 ,  宮田 豊
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993235178
Publication number (International publication number)：1995092491
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 工程数を増やすことなく、開口率および電荷蓄積用容量を大きくとることによって良好な画像表示特性を実現するアクティブマトリクス液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を提供することを目的とする。【構成】 トランジスタ部の活性半導体層と同時に形成された多結晶シリコンより成る第1の透明電極11と、画素電極となる第2の透明電極10と、その間に挟み込んだ絶縁膜5、7によって電荷蓄積用容量部を構成する。

Claim (excerpt)：

少なくともトランジスタ部と電荷蓄積用容量部とを有し、その電荷蓄積用容量部が、第1の透明電極と、画素電極となる第2の透明電極と、その間に挟み込まれた絶縁層とを有する、アクティブマトリクス表示装置用薄膜トランジスタ基板において、前記第1の透明電極が多結晶シリコンから成り、前記トランジスタ部の半導体層と同時に形成されることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置用薄膜トランジスタ基板。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/35 ,  H01L 29/786