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J-GLOBAL ID：200903032477912634
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997112604
Publication number (International publication number)：1998301284
Application date： Apr. 30, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 高解像性、高感度及び優れたドライエッチング耐性に加えて、成膜時にクラックの発生を防止できる化学増幅型レジスト材料を提供する。【解決手段】 次式により表される構造単位(I):を含む酸感応性重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むように構成する。
Claim (excerpt)：
次式により表される構造単位(I):【化1】(上式において、Rは、同一もしくは異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非置換の、直鎖状、分岐鎖状あるいは環状の炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基を表し、R1 は、置換もしくは非置換の、直鎖状、分岐鎖状あるいは環状の炭化水素基を表し、そしてZ1 及びZ2 は、同一もしくは異なっていてもよく、それぞれ、記載の炭素原子とともに脂環式炭化水素基又はその誘導体を完成するのに必要な複数個の原子を表す)を有する酸感応性重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
IPC (4)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 568
