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J-GLOBAL ID：200903032477992727

半導体メモリ装置

Inventor： 平野 博茂 ,  角 辰己 ,  長野 能久
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994170844
Publication number (International publication number)：1996036888
Application date： Jul. 22, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ビット線へのデータ読み出し電位を大きくする。【構成】 本体メモリセルキャパシタ容量値Csとビット線BL0,/BL0間に読み出された電位差Vrとの関係から、電位差Vrは本体メモリセルキャパシタ容量値Csに対して最大値をもつ曲線で表される。Vrmはセンスアンプで正確に増幅できる読み出し可能最低電位差値を示している。このVrmと図の曲線の交点のうち本体メモリセルキャパシタ容量値の小さい方をCsl、本体メモリセルキャパシタ容量値の大きい方をCshとする。本体メモリセルキャパシタ容量の値CsはCslとCshとの間にあることが必要である。

Claim (excerpt)：

増幅器に第1のビット線と前記第1のビット線と対になった第2のビット線が接続され、第1のMOSトランジスタに第1のワード線と第1の強誘電体キャパシタと前記第1のビット線とが接続され、前記第1の強誘電体キャパシタが第1のプレート電極に接続され、前記第1のビット線と前記第2のビット線との間に生じる電位差を所望の値にするように前記第1の強誘電体キャパシタの容量が決定されることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (5)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

G11C 11/34 352 A ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-301093
  
• 強誘電体コンデンサのリフレツシユ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004864   Applicant：ナシヨナルセミコンダクタコーポレイシヨン
• 特開昭63-201998