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J-GLOBAL ID：200903032478032581

半導体装置の製造方法

Inventor： 定方 伸行 ,  稲葉 正俊 ,  井上 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 志賀 正武 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001314047
Publication number (International publication number)：2003124244
Application date： Oct. 11, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置に形成されるはんだバンプ内のボイドの発生を低減する方法の提供。【解決手段】 前記目的を達成するために、本発明は、電極が設けられたウェハ上に該電極と接続するはんだバンプが設けられた半導体装置の製造方法において、前記はんだバンプ形成位置にはんだ材料をアイランド状に載せたウェハを、前記はんだ材料の融点より5°Cから10°C低い温度範囲内に予め加熱する予熱工程と、予熱された該ウェハを線状または細帯状の加熱領域を通過させ、個々のアイランド状のはんだ材料の固相/液相界面を単一にして該はんだ材料を溶融せしめ、その後該はんだ材料を冷却してはんだバンプを形成するリフロー工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

電極(2)が設けられたウェハ(1)上に該電極と接続するはんだバンプ(3)が設けられた半導体装置(4)の製造方法において、前記はんだバンプ形成位置にはんだ材料をアイランド状に載せたウェハを、前記はんだ材料の融点より5°Cから10°C低い温度範囲内に予め加熱する予熱工程と、予熱された該ウェハを線状または細帯状の加熱領域を通過させ、個々のアイランド状のはんだ材料の固相/液相界面を単一にして該はんだ材料を溶融せしめ、その後該はんだ材料を冷却してはんだバンプを形成するリフロー工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。