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J-GLOBAL ID：200903032482378654

成膜方法

Inventor：
多田 國弘

About 多田 國弘

, 
横井 裕明

About 横井 裕明

, 
若林 哲

About 若林 哲

, 
成嶋 健索

About 成嶋 健索


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004110402
Publication number (International publication number)：2004225162
Application date： Apr. 02, 2004
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：
【課題】プラズマCVDにより成膜される膜の成膜において、低温成膜が可能であり、かつ低温成膜であっても膜中の残留物を低減することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】処理チャンバー内で被処理基板にCVDによりTi膜を成膜するにあたり、TiCl4ガス、H2ガス、Arガスを導入しつつ第1のプラズマを生成する第1ステップと、TiCl4ガスを停止し、H2ガス、Arガスを導入しつつ第2のプラズマを生成する第2ステップとを交互に複数回繰り返す。その際に、第1のプラズマと第2のプラズマとは、交互的なガスの切り換えに追従するように切り換えられる。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
処理チャンバー内で被処理基板に成膜しようとする膜の成分を含む化合物ガスと還元ガスとを供給するとともに、チャンバー内でプラズマを生成して被処理基板上にCVDにより薄膜を形成する成膜方法であって、 前記化合物ガスおよび還元ガスを導入しつつ第1のプラズマを生成する第1ステップと、前記化合物ガスを停止し前記還元ガスを導入しつつ第2のプラズマを生成する第2ステップとを交互に複数回繰り返し、前記第1のプラズマと前記第2のプラズマとは、前記交互的なガスの切り換えに追従するように切り換えられることを特徴とする成膜方法。
IPC (5)：
C23C16/505 ,  C23C16/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205
FI (5)：
C23C16/505 ,  C23C16/14 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/88 R
F-Term (55)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030DA04 ,  4K030DA08 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK04 ,  5F033KK25 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP01 ,  5F033PP04 ,  5F033PP12 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033XX10 ,  5F033XX13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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